Huawei Июнь 15, 2026
Китайская полупроводниковая отрасль продолжает сокращать технологическое отставание от мировых лидеров.
Согласно свежему отчету аналитиков SemiAnalysis, новый процессор Huawei Kirin 9030, изготовленный по техпроцессу SMIC N+3, демонстрирует более высокую плотность транзисторов, чем новейший производственный узел Intel 18A.
Речь идет о третьем поколении фирменного техпроцесса SMIC, который использует минимальный шаг металлических соединений 32,5 нм. Для сравнения, у Intel 18A этот показатель составляет 36 нм. Чем меньше расстояние между металлическими дорожками, тем больше транзисторов можно разместить на одном кристалле, что напрямую влияет на эффективность использования площади чипа.
По оценкам экспертов, технология SMIC N+3 обеспечивает примерно на 10% более высокую плотность транзисторов по сравнению с Intel 18A. Это особенно примечательно на фоне того, что китайский производитель вынужден обходиться без передового EUV-оборудования и продолжает использовать модернизированные DUV-линии.
Впрочем, говорить о полном превосходстве китайской разработки пока рано. Несмотря на впечатляющие показатели плотности, техпроцесс N+3 все еще уступает конкурентам по энергоэффективности, стабильности производства и сложности технологических решений. Тем не менее сам факт того, что SMIC смогла приблизиться к уровню современных западных и тайваньских производителей без доступа к новейшему оборудованию, выглядит весьма значимым достижением.
Дополнительный интерес вызывает и сам процессор Kirin 9030 5G. После вскрытия и анализа кристалла специалисты пришли к выводу, что по уровню производительности новинка находится примерно на уровне флагманских Android-чипов нескольких лет давности. Однако для Huawei сейчас важнее другое: компания демонстрирует способность самостоятельно развивать собственную экосистему процессоров вопреки санкционным ограничениям.
На мой взгляд, куда интереснее перспективы следующих поколений Kirin. Если Huawei и SMIC смогут сохранить текущие темпы развития, то уже в ближайшие годы Китай может существенно сократить разрыв с мировыми лидерами полупроводниковой отрасли.
