Huawei и SMIC провернули невозможное: Kirin 9030 подтвердили как 5 нм

SMIC дотянула до нового узла без EUV, а Huawei получила реальный прирост мощности.

Hовый отчёт подтвердил, что Kirin 9030 действительно собран по 5-нанометровому техпроцессу. Да, тому самому, вокруг которого пол интернета спорило, пытаясь понять, как SMIC удалось прыгнуть выше головы без доступа к EUV.

На презентации серии Mate 80 компания честно отметила новые Kirin 9030 и 9030 Pro, но традиционно ушла от ответа на главный вопрос: «А какой техпроцесс?» Вместо техподробностей — цифры. Huawei уверяла, что Mate 80 Pro Max быстрее примерно на 42% относительно Mate 70 Pro+ на Kirin 9020. Такой скачок на той же «семёрке»? Ну звучит слишком бодро.

И вот Techinsights вскрывают чип и расставляют точки над «i».

Что выяснили в Techinsights?

Разбор подтвердил: Kirin 9030 построен на SMIC N+3 — это шаг вперёд по сравнению с N+2 (7 нм-класс), на котором делали Kirin 9020 и всё ранее. Чип создан через DUV-литографию с продвинутым мультипаттернингом — без EUV, потому что доступ к нему для китайских компаний по-прежнему перекрыт.

N+3 по факту является аналогом 5 нм, хоть и без характерного масштабирования плотности транзисторов, которое дают настоящие EUV-линии. Но это всё равно новый уровень — и технически, и политически.

Почему DUV — это одновременно «ух ты» и «эх»

DUV работает на длине волны 193 нм. Это технология, которая по-хорошему уже должна бы греться на пенсии. Но SMIC приходится выжимать из неё максимум: сложное двойное или четырёхкратное мультипаттернирование, повышенная стоимость, ограничения в дизайне — всё это следствие отсутствия EUV.

Однако результат налицо: Kirin 9030 реально быстрее. И это подтверждает, что прирост производительности — не набор твиков и оптимизаций, а переход на новый узел.

Huawei молчит, но факты говорят громче

Официального комментария Huawei на момент публикации нет, но теперь ясно: компания сделала серьёзный шаг вперёд несмотря на технологические ограничения. Kirin 9030 — не «разогретый 9020», а настоящий новый чип, рождённый в условиях санкционного давления.