Huawei нашла обходной путь к 2-нм чипам без EUV. Новый патент объясняет как

Китайский гигант снова доказывает, что “невозможно” — это просто чужие ограничения.

Казалось бы, после жёстких американских санкций компания должна была навечно застрять в технологической яме. Но нет: Huawei упрямо продолжает копать тоннель в сторону светлого будущего, и новый патент — как раз один из тех инструментов, которыми они роют себе путь к 2-нм чипам.

И да, главное тут — никакого EUV. Только старые добрые DUV-машины, немного инженерной магии и много безумной смелости.

Что за патент и почему он важен

Заявка CN119301758A, поданная ещё 8 июня 2022 года и опубликованная 10 января этого года, называется скромно:
«Метод интеграции металлов для производства интегральных устройств».

Звучит сухо, но суть бодрая: Huawei предлагает способ обойти главную боль BEOL-литографии — формирование сверхтонких металлических линий и надёжных межсоединений при шаге 21 нм и ниже.

Почему именно BEOL  ключевой узел боли?

• здесь создаются металлические слои, которые соединяют транзисторы;

• чем тоньше линии — тем выше сопротивление, задержки, риск деградации;

• EUV в идеале решает эти проблемы… но EUV у Huawei нет.

Компания предлагает решить всё иначе — инженерно, а не политически.

Как Huawei хочет выйти на 2-нм уровень без EUV

Полупроводниковый исследователь Фредерик Чен первым заметил, что патент позволяет DUV-оборудованию формировать нужные шаги металлизации под 2-нм узел. Схема такая:

1. SAQP + DUV вместо EUV

Self-Aligned Quadruple Patterning уменьшают количество экспозиций, позволяя формировать экстремально тонкие структуры.

2. Двухступенчатый spacer-процесс

Используются разные материалы в хард-маске, чтобы:

• надёжно защитить соседние линии,

• сформировать узкие vias,

• избежать пересветов без EUV.

3. Полностью самосовмещённые via (FSAV)

То, чего обычно добиваются с EUV — Huawei делает через хитрую комбинацию масок и этапов нанесения.

В результате металл-линии и переходы уровня суб-21 нм, что уже приводит к характеристикам, сравнимым с 3-нм и 2-нм узлами TSMC.

Что это даёт на практике

• Меньше ошибок позиционирования (EPE) — ключевой фактор при малых шагах.

• Ниже паразитная ёмкость — выше скорость и надёжность.

• Работает для MOL и BEOL — а значит, не ограничено одним участком цепочки.

• И главное — никаких EUV-машин.

Но давай честно

Патент — это ещё не фабрика.
И не процессор.
И не доказательство, что SMIC прямо завтра будет делать 2 нм.

Но это уже механизм, концепция и технологический фундамент, который Huawei может (и явно хочет) превратить в полноценный техпроцесс.

И, если всё пойдёт по плану, уже в ближайшие год-полтора мы можем увидеть настоящую гонку: не за “первый 2-нм чип”, а за “первый 2-нм чип без EUV”.

Вот тогда и начнётся настоящее веселье в индустрии.